全文获取类型
收费全文 | 22429篇 |
免费 | 4550篇 |
国内免费 | 6817篇 |
专业分类
化学 | 17501篇 |
晶体学 | 785篇 |
力学 | 1427篇 |
综合类 | 884篇 |
数学 | 2975篇 |
物理学 | 10224篇 |
出版年
2024年 | 31篇 |
2023年 | 314篇 |
2022年 | 684篇 |
2021年 | 831篇 |
2020年 | 883篇 |
2019年 | 901篇 |
2018年 | 832篇 |
2017年 | 1043篇 |
2016年 | 1000篇 |
2015年 | 1203篇 |
2014年 | 1490篇 |
2013年 | 1927篇 |
2012年 | 1992篇 |
2011年 | 2124篇 |
2010年 | 1843篇 |
2009年 | 1921篇 |
2008年 | 2099篇 |
2007年 | 1928篇 |
2006年 | 1773篇 |
2005年 | 1461篇 |
2004年 | 1140篇 |
2003年 | 866篇 |
2002年 | 906篇 |
2001年 | 884篇 |
2000年 | 823篇 |
1999年 | 568篇 |
1998年 | 370篇 |
1997年 | 250篇 |
1996年 | 216篇 |
1995年 | 198篇 |
1994年 | 189篇 |
1993年 | 182篇 |
1992年 | 155篇 |
1991年 | 112篇 |
1990年 | 111篇 |
1989年 | 105篇 |
1988年 | 80篇 |
1987年 | 65篇 |
1986年 | 58篇 |
1985年 | 47篇 |
1984年 | 41篇 |
1983年 | 38篇 |
1982年 | 27篇 |
1981年 | 23篇 |
1980年 | 8篇 |
1979年 | 21篇 |
1976年 | 4篇 |
1974年 | 3篇 |
1966年 | 3篇 |
1959年 | 7篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 640 毫秒
91.
为了实验研究粲偶素ψ'级联衰变过程ψ'→γ'xcJ→γ'γJ/ψ,一个用于正确描述全部末态角分布的产生子是必要的.可以通过分析角分布的关联来确定这一过程的多极展开参数(或者等效的螺旋度振幅),而从中可以知道高阶电磁多极矩和相对论修正的贡献,同时可以检验ψ'是不是ψ'(2S)和ψ'(1D)的混合.介绍了一个能完全描述这一过程的角分布的产生子,同时讨论了测量多极参数的测量方法.这些都可以被用在BESⅢ或者CLEOc的分析当中. 相似文献
92.
93.
1 Introduction Inrecentyears,boththetheoreticalandexperimentalinvestigationsonlasercoolingandtrappinghavebecomeoneofthemajorfieldsinatomic,molecularandoptical physics[1~ 8] .Thedevelopmentoflasercoolingandtrappingtechnologyisimportantfortheapplicationssu… 相似文献
94.
95.
Baowei Qiao Jie Feng Yun Ling Ting’ao Tang Bomy Chen 《Applied Surface Science》2006,252(24):8404-8409
The effects of Si doping on the structural and electrical properties of Ge2Sb2Te5 film are studied in detail. Electrical properties and thermal stability can be improved by doping small amount of Si in the Ge2Sb2Te5 film. The addition of Si in the Ge2Sb2Te5 film results in the increase of both crystallization temperature and phase-transition temperature from face-centered cubic (fcc) phase to hexagonal (hex) phase, however, decreases the melting point slightly. The crystallization activation energy reaches a maximum at 4.1 at.% and then decreases with increasing dopant concentration. The electrical conduction activation energy increases with the dopant concentration, which may be attributed to the increase of strong covalent bonds in the film. The resistivity of Ge2Sb2Te5 film shows a significant increase with Si doping. When doping 11.8 at.% of Si in the film, the resistivity after 460 °C annealing increases from 1 to 11 mΩ cm compared to the undoped Ge2Sb2Te5 film. Current-voltage (I-V) characteristics show Si doping may increase the dynamic resistance, which is helpful to writing current reduction of phase-change random access memory. 相似文献
96.
Jie Xue Liang Chen Li Zhou Zhifeng Jia Yanping Wang Xinyuan Zhu Deyue Yan 《Journal of Polymer Science.Polymer Physics》2006,44(15):2050-2057
α‐Cyclodextrin (α‐CD) has been complexed with various poly(ethylene glycol) (PEG) derivatives in aqueous solution. It has been found that the end groups of PEG derivatives affect the complexation kinetics greatly, but have only a little influence on the thermodynamic behavior. By increasing the hydrophobicity of end groups, the complexation speeds up rapidly. On the other hand, the bulky end groups slow down the threading of polymeric guests into the cavity of CD. By changing the hydrophobicity and the size of end groups, the complexation rate can be adjusted in the range of several orders of magnitudes, which should be quite useful in the design of new supramolecular systems. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part B: Polym Phys 44: 2050–2057, 2006 相似文献
97.
对Sn-C60薄膜进行紫外可见光吸收,X-射线衍射和扫描电镜的测定结果显示,薄膜样品紫外可见光吸收的两个短波段吸收峰比纯C60薄膜的吸收峰显著下降,说明Sn-C60薄膜的电子光吸收跃迁为间接跃迁,能带中有杂质能级的存在;样品的X射线衍射峰则对应于面心立方结构;扫描电镜结果显示薄膜为纳米级颗粒组成。 相似文献
98.
The influence of the electron-LO-phonon coupling on energy spectrum of the low-lying states ofan exciton inparabolic quantum dots is investigated as a function of dot size. Calculations are made by using the method of few-bodyphysics within the effective-mass approximation. A considerable decrease of the energy in the stronger confinement rangeis found for the low-lying states of an exciton in quantum dots, which results from the confinement of electron-phononcoupling. 相似文献
99.
100.
关于PFI-代数与剩余格 总被引:10,自引:0,他引:10
本文提出了一种强FI代数-PFI代数,并且深入研究了它的性质,借此进一步揭示了FI-代数和剩余格之间更加密切的联系,进而以FI-代数为基本框架建立了R0-代数、正则剩余格等逻辑系统的结构特征(包括对隅结构)及其相互关系.这种以FI-代数为基础来统一处理剩余格和R0-代数的方法,同样适合于格蕴涵代数和MV代数等代数结构,而且从中更能清楚地看出它们之间的密切联系,也将有助于对相应形式逻辑系统与模糊推理的研究. 相似文献